概要：博納科技深耕半導體拋光液分離純化，在拋光液的濃縮、純化領域開發(fā)了高效、高質量的膜分離純化工藝，提高了產(chǎn)品質量、穩(wěn)定性。

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近年來，半導體材料作為一種新興的產(chǎn)業(yè)，在高新技術和國民經(jīng)濟等領域占有越來越重要的地位，高效地制備超光滑、表面無缺陷的半導體晶片具有十分重要的科學意義以及市場應用前景。

拋光液是化學機械拋光技術的核心，對化學機械拋光過程中的化學作用和機械作用起著決定性的作用，拋光液的質量直接影響半導體晶片的質量。一般來說，拋光液由磨粒、氧化劑、去離子水和添加劑（分散劑、鈍化劑、pH調(diào)節(jié)劑、緩蝕劑、催化劑、螯合劑等）組成。最常用的磨粒主要有三種，即二氧化硅、二氧化鈰和氧化鋁。

以二氧化硅為例，經(jīng)硅酸鈉和有機硅酸鹽水解可制得所需粒徑大小及分布均勻的膠體二氧化硅顆粒，形狀呈規(guī)則的圓形，且化學性質穩(wěn)定，硬度適中。然而，膠體二氧化硅溶液中不可避免地含有大量的鈉離子，這些鈉離子存在于器件隔離氧化層中，少量鈉離子就會影響集成電路電壓的穩(wěn)定性。

磨粒濃度影響材料去除率和表面質量。在CMP拋光工藝中，材料去除率隨著磨粒濃度變化的趨勢基本一致，受限于工藝控制，合成的硅溶膠濃度較低，需要將提高硅溶膠濃度以滿足后續(xù)工藝要求。

針對拋光液金屬離子濃度高、磨粒濃度低的問題，博納科技采用錯流過濾方式，進行膜選型和設備選型，開發(fā)膜分離和膜濃縮工藝，降低金屬離子濃度至PPB級別，提高磨粒濃度至40wt%以上。

錯流過濾又稱為交叉流過濾、切向流過濾。這種過濾方式具有過濾阻力小、膜面污堵輕、過濾效率高、可線性放大和適合工業(yè)化生產(chǎn)的特點。拋光液中粒子一般為微米或納米級別，直流過濾方式或離心方式無法滿足工業(yè)化生產(chǎn)，采用錯流過濾方式，拋光液在壓力的作用下，以切向角度通過膜面，透過液垂直透過膜面，避免了納米粒子在過濾過程形成凝膠的現(xiàn)象，達到了磨粒濃縮和金屬離子洗濾的目的。

配合膜選型、設備選型、材質選型和過濾參數(shù)確定，成功實現(xiàn)小試、中試及生產(chǎn)規(guī)模膜過濾系統(tǒng)的設計和制造，制備得到高品質拋光液產(chǎn)品。

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博納科技深耕膜分離技術及其應用工藝多年。在研發(fā)過程中，不僅專注于工藝開發(fā)的創(chuàng)新，還致力于設備裝置的優(yōu)化升級。通過多年的不懈努力，我們積累了豐富的產(chǎn)品純化經(jīng)驗和工程化放大經(jīng)驗，成功攻克了一系列工藝制造難題，顯著提升了最終產(chǎn)品的質量和純度。我們的努力不僅贏得了客戶的廣泛認可，更實現(xiàn)了與客戶的互相賦能、共贏發(fā)展。